台积电研发单层二硫化钼顶栅极晶体管，为突破摩尔定律带来新契机
台积电联合阳明交通大学团队取得重大突破，成功研发出高性能单层二硫化钼MoS2）顶栅极晶体管。这一新技术的问世，有望突破摩尔定律的极限，为“后硅”时代的到来提供全新契机。相关研究成果已在学术期刊《自然-
台积电联合阳明交通大学团队取得重大突破，成功研发出高性能单层二硫化钼（MoS2）顶栅极晶体管。这一新技术的问世，有望突破摩尔定律的极限，为“后硅”时代的到来提供全新契机。相关研究成果已在学术期刊《自然-电子学》上发表。
业界分析指出，随着半导体制程技术接近1纳米节点，寻求新材料已成为必然趋势。二硫化钼（MoS2）作为一种新型的二维半导体材料，将在A7制程（约0.7纳米）及CFET（互补场效应晶体管）技术时期被正式引入。WhatsApp网页版
当前，多个半导体设备巨头，包括应用材料、阿斯麦（ASML）、爱思强（AIXTRON）、ASM International 及泛林集团（Lam Research），已积极投入研发针对二硫化钼的新材料设备和技术，以应对行业变化。
随着对更快速、低功耗半导体芯片的需求不断增长，传统硅基半导体正逐渐逼近其物理极限。因此，全球科学家对下一代半导体材料的探索热情高涨，而“二维半导体”由于其原子级的厚度，被视为延续摩尔定律、推动芯片微缩与性能提升的关键突破口。
后续动态值得关注，特别是在科研成果的实际应用及其对半导体行业未来发展的影响方面。
文章来源：https://tech.sina.com.cn/digi/2026-08-07/doc-inimnent3216291.shtml